2024年3月8日下午14:30,北京大学电子学院前沿论坛第61期在北京大学理科二号楼2736报告厅成功举办。北京大学电子学院刘旸助理教授以“Quest for Ultraclean Quantum Materials and Devices”为题做了精彩报告。讲座由电子学院长聘副教授胡又凡主持，约100名师生到场参与了讲座。

首先，刘旸助理教授介绍了半导体材料/器件的历史沿革代际变化，材料/器件创新是集成电路发展的核心驱动力之一。从量子材料层面上来说，有效降低其无序状态可以实现全新的物理和器件应用。

然后，刘旸助理教授简要介绍了石墨烯和过渡金属二卤化物（TMDS）中的无序状态以及其优缺点。针对TMD，刘旸助理教授主要介绍了二硫化钼中的缺陷密度、缺陷类型以及商业上主要用来生长二硫化钼的方法优缺点。接着，刘旸助理教授介绍了一种新型自通量法生长的二硫化钼晶体，该方法能有效降低材料中的电荷缺陷密度。

最后，刘旸助理教授介绍了他提出的“Two-step flux”二硫化钼合成方法，该合成方法对生长条件进行了优化，同时该方法的鲁棒性得到了有效地证实。此外刘旸助理教授还就如何构建超洁净同质结构、如何探测单个区域的掺杂密度、纳米光电流机理等方面展开了细致讲解。

在提问环节，刘旸助理教授与参会师生就超洁净量子材料/器件的应用场景等一系列问题展开了热烈讨论。报告结束时，电子学院长聘副教授胡又凡为刘旸助理教授颁发了北京大学电子学院前沿论坛纪念牌。