职称：研究员、助理教授

导师类别：博士生导师

研究所：碳基电子学研究中心

招生专业：物理电子学

研究领域：集成电路、芯片设计

课题组介绍网站：https://crm-prcc.github.io/

电子邮件：crm[at]pku.edu.cn

教育背景：

2012/09 - 2017/07 博士，清华大学工程物理系

2014/11 - 2015/11 联合培养博士生，美国范德堡大学电子工程系

2008/08 - 2012/07 本科，清华大学工程物理系

工作履历/科研经历：

2023/07 -至今 北京大学电子学院，助理教授，研究员

2019/04 - 2023/06 欧洲微电子研究中心（IMEC），长聘研究员

2017/09 - 2019/03 法国国家科学院LIRMM实验室，博士后

自我介绍：主要研究领域是碳纳米管集成电路、三维集成电路、基于先进半导体工艺的DTCO/STCO以及大规模数字芯片设计。累计发表国际期刊和会议论文60多篇，包括Nature Electronics、IEEE系列等期刊，以及IEDM/VLSI/ISSCC微电子和集成电路三大顶级会议。研究成果受到斯坦福大学、台积电、英特尔、谷歌、高通和华为等顶级大学和半导体公司关注并受邀作报告，研究工作多次获得欧洲微电子研究中心、欧洲主流科技媒体和IEEE Spectrum杂志的亮点报道和采访。主持VLSI 2021三维集成技术研讨会 、召集VLSI 2023芯片背部互连技术研讨会，担任Nature Electronics期刊审稿人和受邀评论人。

获奖情况：曾获国家海外高层次青年人才项目、欧盟玛丽居里资助项目（全球工程类申请者排名7/1000）、VLSI 2022大会技术亮点文章、2015-2017年度中国辐射物理领域十大创新科技（基于博士课题）、清华大学优秀博士学位论文等荣誉。

代表性学术论著：

[J10] R. Chen*. “Pushing carbon nanotube circuits below the 10-nm node,”Nature Electronics, 473–474 (2023). https://doi.org/10.1038/s41928-023-00986-0

[J09] R. Chen*, et al., “Variability Study of MWCNT Local Interconnects Considering Defects and Contact Resistances—Part I: Pristine MWCNT,”IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, No. 11, pp. 4955-4962, Nov. 2018.

[J08] R. Chen*, et al., “Variability Study of MWCNT Local Interconnects Considering Defects and Contact Resistances—Part II: Impact of Charge Transfer Doping,”IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, No. 11, pp. 4963-4970, Nov. 2018.

[J07] R. Chen*, et al., “Carbon Nanotube SRAM in 5 nm Technology Node Design, Optimization and Performance Evaluation-Part I: CNFET transistor optimization,”IEEE Transactions on VLSI Systems, Vol. 30, No. 4, pp. 432-439, Feb. 2022; DOI: 10.1109/TVLSI.2022.3146125

[J06] R. Chen*, et al., “Carbon Nanotube SRAM in 5 nm Technology Node Design, Optimization and Performance Evaluation-Part II: CNT interconnect optimization,”IEEE Transactions on VLSI Systems, Vol. 30, No. 4, pp. 440-448, Feb. 2022; DOI: 10.1109/TVLSI.2022.3146064

[J05] R. Chen*, et al., “Effects of total-ionizing-dose irradiation on SEU- and SET-induced soft errors in bulk 40-nm sequential circuits,”IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 64, No. 1, pp. 471-476, January 2017.

[J04] R. Chen*, et al., “Effects of temperature and supply voltage on SEU- and SET-induced single-event errors in bulk 40-nm sequential circuits,”IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 64, No. 8, pp. 2122-2128, Aug. 2017.

[J03] R. Chen*, et al., “Impact of Temporal Masking of Flip-Flop Upsets on Soft Error Rates of Sequential Circuits,”IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 64, No. 8, pp. 2098-2106, Aug. 2017.

[J02] R. Chen*, et al., “Single-event multiple transients in conventional and guard-ring hardened inverter chains under pulsed-laser and heavy ion irradiation,”IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 64, No. 9, pp. 2511-2518, Sep. 2017.

[J01] R. Chen*, et al., “Analysis of Temporal Masking Effects in Master and Slave Type Flip-Flop SEUs and Related Applications,”IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 65, No. 8, pp. 1823-1829, Aug. 2018.

会议文章：

[C5] L Wang, F Xie, J Liu, T Liu, L Peng, Z Zhang, T Wei, R. Chen, “Power and Thermal Integrity Analysis of High Performance and Low Power CPUs at Sub-2nm Node Designed with Various Advanced Backside PDNs,” 2024 IEDM, Dec., San Francisco, CA, USA. (国际电子器件大会)

[C4] R. Chen, et al., “Backside PDN and 2.5D MIMCAP to Double Boost 2D and 3D ICs IR-Drop beyond 2nm Node,” 2022 Symposium on VLSI Technology and Circuits, June, Hawaii, USA. (国际超大规模集成电路会议，论文入选大会Technology Focus Session (总共9篇)，同年另有一篇共同作者论文入选大会Highlight Session (总共5篇))

[C3] R. Chen, et al., “Power, Performance, Area and Thermal Analysis of 2D and 3D ICs at A14 Node Designed with Back-side Power Delivery Network,” 2022 IEDM. (国际电子器件大会，接受特邀报道：IEEE Spectrum: https://spectrum.ieee.org/interconnect-back-side-power)

[C2] R. Chen, et al., “Design and Optimization of SRAM Macro and Logic Using Backside Interconnects at 2nm node,” 2021 IEDM. (国际电子器件大会， imec亮点介绍，欧洲半导体媒体eeNews, SILICON semiconductor等重点报道)

[C1]  R. Chen, et al., “3D-optimized SRAM Macro Design and Application to Memory-on-Logic 3D-IC at Advanced Nodes,” 2020 IEDM. (国际电子器件大会)

著作：

《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究》，清华大学出版社，2020.11，陈荣梅 著

主持项目：

（4）国家自然科学基金面上项目，2025-2028，项目负责人；

（3）华为技术创新项目，2024-2025，项目负责人；

（2）国家海外高层次青年人才项目，2024-2026，项目负责人；

（1）欧盟玛丽居里个人资助项目，2020-2022，项目负责人