职称：研究员、助理教授

导师类别：博士生导师

研究所：物理电子学研究所

招生专业：物理电子学

研究领域：纳米电子器件及其系统集成

电子邮件：jianfengjiang[at]pku.edu.cn

个人简介：

2024年6月在北京大学电子学院取得理学博士学位，随后赴美国麻省理工学院电子工程与计算机科学系从事博士后研究工作，2025年12月加入北京大学电子学院，任研究员、助理教授、博士生导师。面向亚1 nm 节点集成电路与后摩尔时代核心器件技术，长期从事纳米电子器件、先进晶体管架构及集成研究，致力于构建新一代高性能、低功耗电子技术体系。

其研究围绕亚1nm集成电路技术节点的纳米电子学关键科学问题，在器件物理、材料-器件协同设计及晶圆级可制造性方面形成系统性原创成果。近五年，以第一作者或通讯作者身份（含共）在 Nature（2023，2025）、Science（2025）、Nature Electronics（2024，2026）、Nature Materials（2025）、Nature Reviews Electrical Engineering（2025，2026）、Nature Communications（2025），半导体学报（2026a，2026b）等国际顶级期刊发表系列代表性论文。近年，作为通讯作者四度受邀在 Nature Reviews 与 Nature Electronics 等期刊撰写关于晶体管、集成电路与专用芯片技术的权威综述与前沿评述。多项代表性工作同时入选ESI高被引论文和热点论文（0.1%），受中国科学报、新华社、人民网、光明日报和MIT Technology Reviews等报道。

受Intel及美国半导体研究联盟（SRC）两度邀请作新型半导体技术主题报告；长期担任 Nature、Science 系列多本期刊的独立审稿人。曾获北京大学学生最高荣誉“学生五·四奖章”（电子学院首位）。

五年内代表性科研成果：

揭示并贯通二维电子器件中接触界面、准弹道输运与规模集成的关键物理机制，建立面向亚1 nm节点的可扩展高能效器件与系统实现路径。

针对二维半导体中费米能级钉扎导致的高接触电阻问题，提出稀土掺杂调控电子结构的界面工程方法，实现低势垒高注入效率的近欧姆接触（Nature Electronics, 2024）；进一步揭示二维器件中肖特基势垒提取在低势垒与量子电容主导条件下的失效机制，建立面向实际器件的接触评估方法（Nature Electronics, 2026）。

基于低有效质量硒化铟，构筑短沟道二维晶体管并实验验证接近弹道输运行为，首次从实验上证明二维器件在先进节点具备高能效运行能力（Nature, 2023）；提出固–液–固外延策略，实现硒化铟晶圆级制备与器件集成（Science, 2025）。

发展二维全环绕栅器件与单片三维集成技术，实现低功耗逻辑电路验证（Nature Materials, 2025）；并提出电静力驱动的无损转移方法，实现原子级洁净集成与工艺兼容（Nature, 2025）。

在此基础上，系统提出面向工艺兼容的二维 CMOS 技术路径（Nature Communications, 2025）与多桥沟道三维集成架构，推动二维电子器件向可制造系统演进（Nature Reviews Electrical Engineering, 2025），并探索其在自动驾驶芯片等复杂系统中的应用潜力（Nature Reviews Electrical Engineering, 2026）。

[1] J. Jiang, L. Xu, C. Qiu, L.-M. Peng, Ballistic two-dimensional InSe transistors. Nature, 616, 470-475 (2023). (第一作者)  ESI 高被引论文（1%）与热点论文（0.1%）。曾获”中国十大科技进展新闻”“中国高等学校十大科技进展”“中国半导体十大研究进展”“中国重大技术进展”“中国芯片科学十大进展”

[2] B. Qin, J. Jiang, L. Wang, Q. Guo, C. Zhang, L. Xu, X. Ni, P. Yin, L.-M. Peng, E. Wang, F. Ding, C. Qiu, C. Liu, K. Liu, Two-dimensional indium selenide wafers for integrated electronics. Science, 389, 299 (2025).（通讯作者兼共同第一作者) 入选中关村论坛年会重大科技成果

[3] X. Zheng, J. Wang, J. Jiang, T. Zhang, J. Zhu, T. Dang, P. Wu, A. Lu, D. Chen, T.H. Yang, X. Zhang, K. Zhang, K. Ma, Z. Wang, A. Yao, H. Liu, Y. Wan, Y. Hsieh, V. Bulović, T. Palacios, J. Kong, Electrostatic repulsion enabled advanced transfer for integration of van der Waals materials. Nature 645, 906-914 (2025). (共同第一作者)

[4] Q. Lu, S. Wu, Y. Liu, Z. Huang, Y. Zhou, B. Dong, T. Zhang, L. Li, K. Zhu, H. Shu, H. Diao, K. Tan, Y. Liu, X. Zheng, H. Ning, Y. Wan, X. Wang, R. Yuan, H. Sang, X. Yan, L. Wang, T. Dang, A. Yao, Z. Wang, A. D. Franklin, Z. Wang, J. H. Lang, J. Han, X. Tang, K. Zhang, T. H. Yang, P. Wu, J. Wang, Q. Huang, J. Sun, J. Chen, X. Wu, Y. Zhang, L. Xu, Y. Zhu, J. Wang, R. Chen, M. Chen, X. Wang, X. Cheng, B. Qin, K. Liu, H. Peng, M. Lanza, S. Das, L.-J. Li, X. Duan, V. Roychowdhury, V. Bulović, T. Palacios, J. Kong, S. Feng, L.-M. Peng, J. Jiang, Autonomous Driving chips. Nature Reviews Electrical Engineering (2026). (通讯作者) In press

[5] J. Jiang, L. Xu, L. Du, L. Li, G. Zhang, C. Qiu, L.-M. Peng, Yttrium-doping-induced metallization of molybdenum disulfide for ohmic contact in two-dimensional transistors. Nature Electronics, 7, 545-556 (2024). (第一作者) ESI 高被引论文（1%）与热点论文（0.1%），

[6] J. Tang, J. Jiang, X. Gao, X. Gao, C. Zhang, M. Wang, C. Xue, Z. Li, Y. Yin, C. Tan, F. Ding, C. Qiu, L.-M. Peng, H. Peng, Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration. Nature Materials 24, 519-526 (2025). (共同第一作者) ESI 高被引论文。曾获 “中国半导体十大研究进展”

[7] J. Jiang, P. Wu, Y. Liu, J. Kong & L.-M. Peng, Towards fab-compatible two-dimensional transistors. Nature Reviews Electrical Engineering 2, 6-8 (2025). (第一作者兼通讯作者)

[8] J. Jiang, X. Zheng, Y. Liu, L.-J. Li, L. Xu, L.-M. Peng, Advancing 2D CMOS electronics with high performance p-type transistors. Nature Communications 16, 10233 (2025) (第一作者兼通讯作者)

[9] J. Jiang, P. Wu, H. Lan, Z. Han, E. Pop, L.-M. Peng, Rethinking Schottky-barrier height extraction in 2D transistors. Nature Electronics (第一作者兼通讯作者) Invited paper