丁力

职称:副研究员

研究所:物理电子学研究所

研究领域:碳纳米管电子学

办公电话:86-10-62755317

电子邮件:lding[at]pku.edu.cn

教育经历:

(1) 2006.9–2011.7,北京大学,物理电子,理学博士,导师:彭练矛

(2) 2002.9–2006.7,东南大学,应用物理,理学学士,导师:杨永宏

工作经历:

(1) 2018.8-至今,北京大学,信息科学技术学院,副研究员

(2) 2015.11-2018.7,北京大学,信息科学技术学院,助理研究员

(3) 2013.10-2015.10,北京大学,信息科学技术学院,博士后,合作导师:梁学磊

研究领域:

针对碳纳米管电子学中的一系列重要问题进行系统深入的研究,解决碳管器件和集成电路制备中的多项技术难点,重点突破了碳纳米管的n型接触问题;利用碳纳米管无掺杂CMOS技术制备高性能碳纳米管集成电路;实现GHz频段碳纳米管无线传感界面模块等。在该领域发表SCI论文35篇,其中包括1篇Nature Communications,1篇Nature Electronics,6篇Nano Letters,6篇ACS Nano,3篇Advanced Materials等,论文被引用1300余次,h因子为20。研究工作被Nature,Science等刊物的工作正面引用;被Chemical Review等顶级综述文章正面引用;被Nature Asia-Pacific等网站作为热点报道;并且被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)写入2011版和2013版的ERD(Emerging Research Devices)和ERM(Emerging Research Materials)报告。其中关于超低电压驱动碳纳米管电路的文章[Applied Physics Letters, 100(26), 263116, 2012]被Appl. Phys. Lett.杂志作为研究热点重点介绍,入选了Appl. Phys. Lett.杂志50年纪念特刊。

主持或参与的科研项目:

1.军委科技委国防科技创新特区,18H863××××××××××××,大规模××××××研究,2018.06-2020.11,1430万元,在研,参加;

2.军委装备预先研究合同,31×××××××××,纳米××××××××××××电路,2017.12-2019.12,239.91万元,在研,参加;

3.军委科技委国防科技创新特区,17H863××××××××××××,高速××××

器件,2017.07-2018.04,349.7万元,已结题,参加;

4.国家自然科学基金面上项目,61671020,碳纳米管数模混合集成电路研究,2017.0

1-2020.12,58万元,在研,主持;

5.国家重点研发计划,2016YFA0201901,高性能碳基纳米晶体管的制备及大规模集成

,2016.07-2020.12,960万元,在研,参加;

6.北京市科技计划,D161100002616002,碳纳米管集成电路自动化设计/仿真工具包

开发,2016.01-2017.12,117万元,已结题,主持;

7.北京市科技计划,D151100003315004,有源智能卡碳纳米管芯片模块开发,2015.0

1-2016.12,492万元,已结题,参加;

8.国家自然科学基金青年项目,61401006,基于碳纳米管的极低开启电压二极管及其

射频电路,2015.01-2015.12,8万元,已结题,主持;

9.中国博士后科学基金第8批特别资助,2015T80021,基于碳纳米管的能量转换器,2

015.01-2015.12,15万元,已结题,主持;

代表性论著(5篇):

1. Liu, L. J.#; Ding, L.#; Zhong, D. L.; Han, J.; Wang, S.; Meng, Q. H.; Qiu, C. G.; Zhang, X. Y.; Peng, L. M.; Zhang, Z. Y., Carbon Nanotube Complementary Gigahertz Integrated Circuits and Their Applications on Wireless Sensor Interface Systems.Acs Nano2019,13(2), 2526-2535.

2. Ding, L.; Liang, S. B.; Pei, T.; Zhang, Z. Y.; Wang, S.; Zhou, W. W.; Liu, J.; Peng, L. M., Carbon nanotube based ultra-low voltage integrated circuits: Scaling down to 0.4V.Applied Physics Letters2012,100(26).

3. Ding, L.; Zhang, Z. Y.; Liang, S. B.; Pei, T.; Wang, S.; Li, Y.; Zhou, W. W.; Liu, J.; Peng, L. M., CMOS-based carbon nanotube pass-transistor logic integrated circuits.Nature Communications2012,3.

4. Ding, L.; Wang, Z. X.; Pei, T.; Zhang, Z. Y.; Wang, S.; Xu, H. L.; Peng, F.; Li, Y.; Peng, L. M., Self-Aligned U-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistor with Extremely Small Parasitic Capacitance and Drain-Induced Barrier Lowering.Acs Nano2011,5(4), 2512-2519.

5. Ding, L.; Wang, S.; Zhang, Z. Y.; Zeng, Q. S.; Wang, Z. X.; Pei, T.; Yang, L. J.; Liang, X. L.; Shen, J.; Chen, Q.; Cui, R. L.; Li, Y.; Peng, L. M., Y-Contacted High-Performance n-Type Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: Scaling and Comparison with Sc-Contacted Devices.Nano Letters2009,9(12), 4209-4214.

主要奖励:

(1)丁力(3/5),碳基纳米电子器件及集成,中华人民共和国国务院,自然科学,国家二等奖,2016;

(2)丁力(5/8),高性能碳基纳米电子器件,教育部,自然科学,省部一等奖,2013;

(3)丁力(1/1),全国百篇优秀博士论文提名,教育部,自然科学,2013;

(4)丁力(1/1),北京市百篇优秀博士论文,北京市教委,自然科学,省部一等奖,2012。