职称：研究员、助理教授
导师类别：博士生导师
研究所：物理电子学研究所
招生专业：物理电子学
研究领域：纳米电子器件及其系统集成
电子邮件：jianfengjiang[at]pku.edu.cn
个人简介
2024年6月在北京大学电子学院取得理学博士学位，随后赴美国麻省理工学院电子工程与计算机科学系从事博士后研究工作，2025年12月加入北京大学电子学院，任研究员、助理教授、博士生导师。面向亚1 nm 节点集成电路与后摩尔时代核心器件技术，长期从事纳米电子器件、先进晶体管架构及集成研究，致力于构建新一代高性能、低功耗电子技术体系。
其研究围绕纳米电子学的关键科学问题与工程瓶颈，在器件物理、材料-器件协同设计及晶圆级可制造性方面形成系统性原创成果。以第一作者或通讯作者身份（含共同）在 Nature（2023，2025）、Science（2025）、Nature Electronics（2024）、Nature Materials（2025）、Nature Reviews Electrical Engineering（2025）、Nature Communications（2025）等国际顶级期刊发表论文14篇。近年，作为通讯作者四度受邀在 Nature Reviews 与 Nature Electronics 等期刊撰写关于晶体管、集成电路与专用芯片技术的权威综述与前沿评述。多项代表性工作同时入选ESI高被引论文和热点论文（0.1%），受中国科学报、新华社、人民网与光明日报等报道。
受Intel及美国半导体研究联盟（SRC）两度邀请作新型半导体技术主题报告；长期担任 Nature、Science 系列多本期刊的独立审稿人。曾获北京大学学生最高荣誉“学生五·四奖章”（电子学院首位）。
代表性科研成果
面向亚 1 nm 技术节点集成电路的核心需求，系统开展高能效二维电子器件与新型逻辑架构研究。针对长期制约先进节点二维晶体管性能与可制造性的金属–半导体接触问题，提出稀土掺杂诱导相变机理，发展埃米级原子精度掺杂技术，在晶圆级二维半导体中实现接近理论极限的理想欧姆接触（Nature Electronics, 2024）。基于高速硒化铟沟道，构筑并首次通过实验明确验证性能与能效超越硅基技术的弹道二维晶体管（Nature, 2023）。进一步提出固–液–固外延生长新范式，解决硒化铟多相生长难题，将弹道二维器件推进至晶圆级尺度，关键指标满足国际半导体技术路线图（Science, 2025）。在此基础上，率先实现基于外延单晶介质的全环绕栅二维器件与逻辑电路（Nature Materials, 2025），并开发晶圆兼容、原子级洁净的先进转移与集成策略（Nature, 2025）。系统展望并建立高速二维 CMOS 的发展路径（Nature Communications, 2025），进一步提出二维多桥沟道晶体管与单片三维集成架构，为后摩尔时代高能效芯片提供可制造的新范式（Nature Reviews Electrical Engineering, 2025）。
[1] J. Jiang, L. Xu, C. Qiu, L.-M. Peng, Ballistic two-dimensional InSe transistors. Nature, 616, 470-475 (2023). (第一作者) ESI 高被引论文（1%）与热点论文（0.1%）。曾获”中国十大科技进展新闻”“中国高等学校十大科技进展”“中国半导体十大研究进展”“中国重大技术进展”“中国芯片科学十大进展”
[2] B. Qin, J. Jiang, L. Wang, Q. Guo, C. Zhang, L. Xu, X. Ni, P. Yin, L.-M. Peng, E. Wang, F. Ding, C. Qiu, C. Liu, K. Liu, Two-dimensional indium selenide wafers for integrated electronics. Science, 389, 299 (2025).（通讯作者兼共同第一作者)
[3] X. Zheng, J. Wang, J. Jiang, T. Zhang, J. Zhu, T. Dang, P. Wu, A. Lu, D. Chen, T.H. Yang, X. Zhang, K. Zhang, K. Ma, Z. Wang, A. Yao, H. Liu, Y. Wan, Y. Hsieh, V. Bulović, T. Palacios, J. Kong, Electrostatic repulsion enabled advanced transfer for integration of van der Waals materials. Nature 645, 906-914 (2025). (共同第一作者)
[4] J. Jiang, L. Xu, L. Du, L. Li, G. Zhang, C. Qiu, L.-M. Peng, Yttrium-doping-induced metallization of molybdenum disulfide for ohmic contact in two-dimensional transistors. Nature Electronics, 7, 545-556 (2024). (第一作者) ESI 高被引论文（1%）与热点论文（0.1%），
[5] J. Tang, J. Jiang, X. Gao, X. Gao, C. Zhang, M. Wang, C. Xue, Z. Li, Y. Yin, C. Tan, F. Ding, C. Qiu, L.-M. Peng, H. Peng, Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration. Nature Materials 24, 519-526 (2025). (共同第一作者)
[6] J. Jiang, P. Wu, Y. Liu, J. Kong & L.-M. Peng, Towards fab-compatible two-dimensional transistor technology. Nature Reviews Electrical Engineering 2, 6-8 (2025). (第一作者兼通讯作者)
[7] J. Jiang, X. Zheng, Y. Liu, L.-J. Li, L. Xu, L.-M. Peng, Advancing 2D CMOS electronics with high performance p-type transistors. Nature Communications 16, 10233 (2025) (第一作者兼通讯作者)
