职称：研究员、助理教授

导师类别：博士生导师

研究所：物理电子学研究所/碳基电子学研究中心

招生专业：物理电子学

研究领域：低维电子学；拟态神经电子器件与系统集成；陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件

电子邮件：chenguangqiu[at]pku.edu.cn

教育与工作经历

2011年于西安电子科技大学取得微电子专业学士学位，2016年于北京大学取得物理电子学专业博士学位，2016-2019年在北京大学电子学系从事博士后研究，2019年起入职北京大学电子学院任研究员。

研究成果

北京大学电子学院研究员，“博雅青年学者”。国家基金委“优青”、173首席科学家、国家重点研发计划青年首席科学家。获科学探索奖、达摩院青橙奖、《麻省理工科技评论》科技创新35人（亚太区）、中国十大新锐科技人物、黄廷方/信和青年杰出学者。成果入选“中国十大科技进展新闻”（中科院和工程院），两次入选“中国高等学校十大科技进展”（教育部），两次入选“中国重大技术进展”，以及入选“中国半导体十大进展”，“中国芯片科学十大进展”，“全国科创中心标志性原创成果”，“中国百篇高影响国际学术论文”等。

面向亚1纳米节点后摩尔芯片技术，从事纳米电子器件方面研究，在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Nanotechnology, ACS Nano, AFM, Nano Letters, IEDM等国际期刊和会议上发表论文;以第一作者和通讯作者在《科学》上发表论文两篇，在《自然》上发表论文一篇。成果被写入国际半导体技术路线图IRDS。多项成果被台积电，英特尔，IBM，三星，IMEC，CEA-Leti等机构引用和关注。

1） “5纳米栅长碳纳米管晶体管”（Science）：将碳基晶体管的性能推进到量子极限，采用钯钪非对称接触实现先进节点互补对称的碳管CMOS，性能和动态功耗优于硅基；

2）“狄拉克冷源晶体管”（Science）首次在国际上提出并实现冷源亚60超低功耗新器件机制，将晶体管亚阈值摆幅降到35毫伏/量程，拓宽了超低功耗器件领域范围，被TSMC、三星等公司在Nature综述上列入15种晶体管基本构型之一，被Intel公司在在Science综述上列入三种超低功耗器件代表性技术；

3）“弹道InSe晶体管”（Nature）通过采用高迁移率的InSe作为沟道材料，研制出世界上弹道率最高（83%）的二维晶体管，首次将二维晶体管的电压降到0.5V，性能超过硅基极限，被国际同行评议为速度最快、功耗最低的二维晶体管。

4）“稀土钇掺杂金属化欧姆接触工程”（Nature Electronics）首次提出采用稀土钇元素掺杂诱导二维相变理论，并发明了选区单原子层极限深度的掺杂工艺。将半导体掺杂深度从业界5纳米（离子注入限制）推进到单原子层0.5纳米极限深度。该技术兼容于1纳米节点先进光刻图形化工艺。

主持项目：

1.国家基金委，“优秀青年科学基金”

2.国家重点研发计划重点专项，“变革性技术关键科学问题”，青年首席科学家

3. K*W-JC*Q-ZD，首席科学家

4.国家基金委，自然科学基金面上项目

5.中国科协，“青年人才托举工程”

本课题组常年招收博士和博士后，欢迎报考！