职称：研究员、助理教授
导师类别：博士生导师
研究所：物理电子学研究所/碳基电子学研究中心
招生专业：物理电子学
研究领域：低维电子学；拟态神经电子器件与系统集成；陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件
电子邮件：chenguangqiu[at]pku.edu.cn
教育与工作经历：
2019~今 北京大学电子学院研究员，博导
2016~2019 北京大学博士后
2011~2016 北京大学博士
2007~2011 西安电子科技大学本科
研究成果：
从事亚1纳米节点后摩尔芯片技术研究，聚焦攻关高性能低维电子器件。从实验上将低维半导体器件的性能推进理论极限，并系统证明了低维半导体技术在未来亚1纳米节点的性能功耗优势。以一作/通讯作者在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Materials, ACS Nano, AFM, Nano Letters, IEDM等发表论文; 其中《科学》两篇，《自然》一篇。成果被写入国际半导体技术路线图IRDS。多项成果被台积电，英特尔，三星，IBM，IMEC，CEA-Leti等机构引用。被华为、中科院、清华、北京市科委等邀请做后摩尔技术专题报告。成果被人民日报海外版、人民网、央广网、科学网、光明日报、中国科学报、Nature Index，IEEE Spectrum, Phys.org, Tech Xplore等报道。
1) “弹道InSe晶体管”（Nature）：通过采用高迁移率的InSe作为沟道材料，研制出世界上弹道率最高（83%）的二维晶体管，首次将二维晶体管的电压降到0.5V，性能超过硅基极限，被国际同行评议为速度最快、功耗最低的二维晶体管。被Intel公司在IEDM会议上标注为首个同时满足业界开关态标准的二维晶体管。
2) “5纳米栅长碳纳米管晶体管”（Science）：将碳基晶体管的性能推进到量子极限，采用钯钪非对称接触实现先进节点互补对称的碳管CMOS，性能和动态功耗优于硅基。被台积电公司在Hotchip大会上作为后摩尔代表性技术介绍。
3) “狄拉克冷源晶体管”（Science）：首次在国际上提出并实现冷源亚60超低功耗新器件机制，将晶体管亚阈值摆幅降到35毫伏/量程，拓宽了超低功耗器件领域范围。被台积电、三星等公司在Nature综述上列入15种晶体管基本构型之一，被Intel公司在在Science综述上列入三种超低功耗器件代表性技术。
4) “稀土钇掺杂金属化欧姆接触工程”（Nature Electronics）：首次提出采用稀土钇元素掺杂诱导二维相变理论，解决了二维半导体接触存在费米钉扎的国际难题；并发明了选区单原子层极限深度的掺杂工艺，将半导体掺杂深度从业界5纳米（离子注入限制）推进到单原子层0.5纳米极限深度。该技术兼容于1纳米节点先进光刻图形化工艺。
5) “高性能二维环栅GAA晶体管”（Nature Materials）：制备出晶圆级多层堆叠的二维 GAA 晶体管，等效氧化物厚度（EOT）缩减为 0.28 nm。为目前国际上最高性能的二维环栅晶体管，在 0.5 V 的超低电压下工作，电流超过1毫安/微米，并且亚阈值摆幅接近玻尔兹曼理论极限 62 毫伏/量程。同时采用精确曝光技术实现空气侧墙结构，将小尺寸二维环栅晶体管开关速度提升到 1.9 ps。
人物奖励：
Ø 科学探索奖
Ø 达摩院青橙奖
Ø 部委重点项目首席科学家
Ø 国家重点研发计划-首席青年科学家
Ø 国家基金委优青
Ø 麻省理工科技评论 科技创新35人（亚太区）(MIT Technology Review Innovators Under 35, Asia-Pacific)
Ø 中国电子学会科学技术奖-青年科学家奖
Ø 中国十大新锐科技人物
Ø 黄廷方/信和青年杰出学者
Ø 北京大学博雅青年学者
Ø 北京大学优秀博士学位论文指导老师
Ø 北京大学北银优秀教师奖
科研奖励：
Ø 中国十大科技进展新闻（中科院和工程院）
Ø 中国高等学校十大科技进展（教育部，2023, 2017 两次）
Ø 国家重点研发计划十三五重大标志性成果 （科技部）
Ø 中国半导体十大研究进展
Ø 中国芯片科学十大进展
Ø 中国重大科学、技术、工程进展（2023, 2017 两次）
Ø 全国科创中心重大标志性原创成果
Ø 中国百篇最具影响国际学术论文（中信所，中国科技论文统计报告）
Ø 中关村论坛-基础前沿板块核心驻足项目（2024）
Ø 北京大学电子学院优秀科研奖（2024, 2020 两次）
主持项目：
1. 国家部委，重点项目，首席（2650万）
2. 国家部委，专项计划，负责人（3350万）
3. 国家科技部，国家重点研发计划变革性技术重点专项，青年首席
4. 国家基金委，优秀青年科学基金，负责人
5.国家基金委，面上项目，负责人
