职称：副研究员

研究所：物理电子学研究所

研究领域：碳纳米管电子学

办公电话：86-10-62755317

电子邮件：lding[at]pku.edu.cn

教育经历：

(1) 2006.9–2011.7,北京大学,物理电子,理学博士,导师:彭练矛

(2) 2002.9–2006.7,东南大学,应用物理,理学学士,导师:杨永宏

工作经历：

(1) 2021.11-至今,北京大学,电子学院,副研究员

(2) 2018.8-2021.11,北京大学,信息科学技术学院,副研究员

(3) 2015.11-2018.7,北京大学,信息科学技术学院,助理研究员

(4) 2013.10-2015.10,北京大学，信息科学技术学院,博士后,合作导师:梁学磊

研究领域：

针对碳纳米管电子学中的一系列重要问题进行系统深入的研究，解决碳管器件和集成电路制备中的多项技术难点，重点突破了碳纳米管的n型接触问题；利用碳纳米管无掺杂CMOS技术制备高性能碳纳米管集成电路；实现GHz频段碳纳米管无线传感界面模块等。在该领域发表SCI论文35篇，其中包括1篇Nature Communications，2篇Nature Electronics，6篇Nano Letters，6篇ACS Nano，3篇Advanced Materials等，论文被引用1400余次，h因子为20。研究工作被Nature，Science等刊物的工作正面引用；被Chemical Review等顶级综述文章正面引用；被Nature Asia-Pacific等网站作为热点报道；并且被ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）写入2011版和2013版的ERD（Emerging Research Devices）和ERM（Emerging Research Materials）报告。其中关于超低电压驱动碳纳米管电路的文章[Applied Physics Letters, 100(26), 263116, 2012]被Appl. Phys. Lett.杂志作为研究热点重点介绍，入选了Appl. Phys. Lett.杂志50年纪念特刊。

主持或参与的科研项目：

1.国家自然科学基金面上项目，61671020，碳纳米管数模混合集成电路研究，2017.01-2020.12，58万元，在研，主持；

2.国家重点研发计划，2016YFA0201901，高性能碳基纳米晶体管的制备及大规模集成，2016.07-2020.12，960万元，在研，参加；

3.北京市科技计划，D161100002616002，碳纳米管集成电路自动化设计/仿真工具包开发，2016.01-2017.12，117万元，已结题，主持；

4.北京市科技计划，D151100003315004，有源智能卡碳纳米管芯片模块开发，2015.01-2016.12,492万元，已结题，参加；

5.国家自然科学基金青年项目，61401006，基于碳纳米管的极低开启电压二极管及其射频电路，2015.01-2015.12，8万元，已结题，主持；

6.中国博士后科学基金第8批特别资助，2015T80021，基于碳纳米管的能量转换器，2015.01-2015.12，15万元，已结题，主持；

7.专项项目3项等。

代表性论著（5篇）：

1.Shi, H.^#,Ding, L.^#, Zhong, D. et al. Radiofrequency transistors based on aligned carbon nanotube arrays.Nature Electronics4, 405–415 (2021). https://doi.org/10.1038/s41928-021-00594-w

2. Liu, L. J.^#;Ding, L.^#; Zhong, D. L.; Han, J.; Wang, S.; Meng, Q. H.; Qiu, C. G.; Zhang, X. Y.; Peng, L. M.; Zhang, Z. Y., Carbon Nanotube Complementary Gigahertz Integrated Circuits and Their Applications on Wireless Sensor Interface Systems.Acs Nano2019,13(2), 2526-2535.

3.Ding, L.;Zhang, Z. Y.; Liang, S. B.; Pei, T.; Wang, S.; Li, Y.; Zhou, W. W.; Liu, J.; Peng, L. M., CMOS-based carbon nanotube pass-transistor logic integrated circuits.Nature Communications2012,3.

4.Ding, L.;Wang, Z. X.; Pei, T.; Zhang, Z. Y.; Wang, S.; Xu, H. L.; Peng, F.; Li, Y.; Peng, L. M., Self-Aligned U-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistor with Extremely Small Parasitic Capacitance and Drain-Induced Barrier Lowering.Acs Nano2011,5(4), 2512-2519.

5.Ding, L.; Wang, S.; Zhang, Z. Y.; Zeng, Q. S.; Wang, Z. X.; Pei, T.; Yang, L. J.; Liang, X. L.; Shen, J.; Chen, Q.; Cui, R. L.; Li, Y.; Peng, L. M., Y-Contacted High-Performance n-Type Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: Scaling and Comparison with Sc-Contacted Devices.Nano Letters2009,9(12), 4209-4214.

主要奖励：

(1)丁力(3/5)，碳基纳米电子器件及集成，中华人民共和国国务院，自然科学，国家二等奖，2016；

(2)丁力(5/8)，高性能碳基纳米电子器件，教育部，自然科学，省部一等奖，2013；

(3)丁力(1/1),全国百篇优秀博士论文提名，教育部，自然科学，2013；

(4)丁力(1/1)，北京市百篇优秀博士论文，北京市教委，自然科学，省部一等奖，2012。